RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3418
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link