RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
67
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
67
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2267
2042
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link