RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
70
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
70
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1971
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link