RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2876
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link