RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2135
3488
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link