RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3531
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link