RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
31
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
4240
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link