RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
34
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3625
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link