RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2791
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link