RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
4044
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link