RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,001.7
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,776.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.7
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
669
3529
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link