RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3379
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link