RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2855
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link