RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3702
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link