RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
65
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link