RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
92
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
92
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link