RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 64T256800EU2.OC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link