RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link