RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link