RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link