Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

22 24

Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

19.3 16

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

17.3 12.5

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2925 3653

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns