RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2545
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link