RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link