RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link