RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
30
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
3814
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link