RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
3055
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link