RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3636
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link