RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2496
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link