RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2696
2081
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kllisre 0000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link