RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
51
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3731
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link