RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2528
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link