RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
77
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
77
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1549
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CML32GX3M4A1866C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link