RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
55
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2486
2078
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link