RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2495
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link