RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
4100
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link