RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3109
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link