RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
92
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2786
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link