RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
92
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2999
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link