RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
92
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2701
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link