RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2888
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link