RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
66
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1934
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link