RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
61
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2569
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link