RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
21.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
81
Wokół strony -406% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
16
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
3952
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link