RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3193
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link