RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
54
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3801
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link