RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
4006
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link