RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3773
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link