RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2493
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link