RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3714
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link