RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3963
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link